Los materiales semiconductores son los materiales básicos de los dispositivos microelectrónicos y dispositivos fotovoltaicos. Sus características de impureza y defecto afectan seriamente el rendimiento del dispositivo. Con el aumento en la integración de dispositivos microelectrónicos y la eficiencia de conversión de dispositivos fotovoltaicos, los requisitos para las materias primas de semiconductores están aumentando. Para satisfacer las necesidades de la producción industrial, se requiere que el método de detección de material tenga una mayor sensibilidad y una velocidad de medición más rápida, evitando daños al material. Los portadores son portadores funcionales de materiales semiconductores, y sus características de transporte determinan el rendimiento de varios dispositivos optoelectrónicos, incluida la vida útil del portador, el coeficiente de difusión y la tasa de recombinación de superficie. La tecnología de radiación de portadora óptica es un tipo de método de prueba no destructivo totalmente óptico para la medición simultánea de parámetros de transporte de portadora, pero este método todavía tiene algunas limitaciones en la medición y caracterización de parámetros de transporte de portadora, como el modelo teórico Aplicabilidad, precisión de medición y velocidad de los parámetros.
Con el apoyo de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China, el Instituto de Tecnología Optoelectrónica de la Academia de Ciencias de China apuntó a los problemas anteriores y estableció un modelo de radiación de fotoportador no lineal con materiales de silicio semiconductores tradicionales como objeto de investigación, y sobre esta base, luz multipunto propuesta respectivamente La tecnología de radiación portadora y la tecnología de imagen de radiación de fotoportador en estado estacionario han confirmado la efectividad de la tecnología anterior a través de cálculos de simulación y mediciones experimentales. La tecnología de radiación portadora de luz de múltiples puntos puede eliminar completamente la influencia de la respuesta de frecuencia del sistema de medición en los resultados de la medición y mejorar la precisión de la medición de los parámetros de transporte de la portadora. El silicio monocristalino de tipo P con una resistividad de 0. 1 - 0. {{6}} Ω? Cm es, por ejemplo, la tecnología de radiación portadora de luz multipunto propuesta que reduce la incertidumbre de medición de la vida útil del portador, el coeficiente de difusión y la tasa de recombinación de la superficie del tradicional ± 15. 9%, ± {{{{17 }}}} 9. 1% y 00 1 00 1 0 gt; ± 50% a ± 1 0. 7%, ± {{1 6}}. 6% y ± 35. { {19}}%. Además, la tecnología de imagen de radiación de fotoportador en estado estacionario simplifica el modelo teórico y el dispositivo de medición, la tasa de medición mejora enormemente y tiene un mayor potencial de aplicación industrial.